（来源：上观新闻）
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在早期阶段，在😇单颗已经具备◻百层结构👪🛐的NAND裸片🧨（di❕e）之上，继续👤🤹♂️进行芯片级堆叠，🇳🇫👨💻将多个die🇳🇱🗳叠加至十余层，👅⛏从而把存储🎌密度从“🍜🌅百层”放🍛大到“数千💡🇯🇴层”；长远来看🇸🇻，控制📞🇱🇻与外围🇬🇹💍电路被整体🚡迁移至基础裸🐄👺片（bas🇩🇿🤡e die）⏮，上层只保留纯🐐粹的存储单元，🇲🇭🥗使堆叠从“🐝堆芯片”演进😹为“堆👽单元”，⏯🇪🇸层数由🥎此迈向“万🍔级”☸。
